MÓDULO DRAM
Found in 2008, Our group company have been in OEM flash memory area almost 15years, OEM DRAM Module, OEM SSD,OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF CARD, as a professional OEM flash memory supplier, We Concentrated in offering service to major brand customers, main traders and country distributors. To better support traders and country distributors, we have regular ready goods both in HongKong and ShenZhen, we sold more than 1million pcs each month.
Apoiamos principalmente DDR3, DDR4 para clientes que também fazem negócios SSD, para clientes de marca ou fábricas de computadores, também temos LPDDR, que agora suporta apenas os principais clientes de telefones celulares e IPAD da China Inland e alguns clientes de relógios inteligentes. Com seu alto desempenho e baixo consumo, é bom para dispositivos inteligentes de pequeno porte.
Parâmetro Técnico Dram/LPDDR:
CATEGORIA DE PRODUTO | ESPECIFICAÇÃO / | DENSIDADE | PACOTE | OPERATIVO |
DRAM | DRAM D3 | 2Gb/4Gb | Bola FBGA 96 | 25 graus ~ 85 graus |
DRAM D4 | 4Gb/8Gb | Bola FBGA 96 | ||
Módulo DRAM | U-DIMM | 4GB/8GB/16GB/32GB | / | 0 grau - 85 grau |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8GB/16GB/32GB | / | 0 grau - 85 grau | |
LPDDR | LP DDR4 | 2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB | Bola 200 | 0 grau - 70 grau |
Especificações:
Nº do Modelo do Produto | Especificação | Densidade | Dimensão | Pacote |
DRAM U-DIMM | 8GB X8/X16 | 8 GB | 7,5 x 13,3 mm | 78 Bola/96 Bola |
DRAM U-DIMM | 16 GB X8/X16 | 16 GB | 10,3 x 11 mm | 78 Bola/96 Bola |
DRAM U-DIMM | 32 GB X8/X16 | 32 GB | 10,3 x 11 mm | 78 Bola/96 Bola |
Módulo disponível:
Parte Número 1) | Densidade | Organização | Composição do componente | Número de | Altura |
4 GB UDIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 31,25 milímetros |
8 GB UDIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 31,25 milímetros |
16 GB UDIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 31,25 milímetros |
SODIMM de 4 GB | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 30 milímetros |
SODIMM de 8 GB | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 30 milímetros |
SODIMM de 16 GB | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 30 milímetros |
NOTA:
1) (2.133 Mbps 15-15-15) / (2.400 Mbps 17-17-17) / (2.666 Mbps 19-19-19) / (3.200 Mbps 22-22-22) / (3.200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) é compatível com versões anteriores para frequências mais baixas.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
Velocidade | DDR4-2133 | DDR4-2400 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | Unidade |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(min) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | ns |
Latência do CAS | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | nCK |
tRCD(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRP(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRAS(min) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | ns |
tRC(min) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | ns |
● Fonte de alimentação padrão JEDEC 1,2 V ± 0,06 V
●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V
●1067MHz fCKpara 2133 Mb/seg/pino, 1200 MHz fCKpara 2400Mb/seg/pino 1333MHz fCK para 2666Mb/seg/pino, 1600MHz fCK para 3200Mb/seg/pino
● 16 Bancos (4 Grupos de Bancos)
● Latência CAS programável: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22
● Latência do aditivo programável (CAS postado): 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
●Latência de gravação CAS programável (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) e 14,18 (DDR4- 2666) • Comprimento de rajada : 8, 4 com tCCD=4 que não permite leitura ou gravação contínua [em tempo real usando A12 ou MRS]
● Strobe de dados diferenciais bidirecional
● Na terminação da matriz usando o pino ODT
●Período de atualização médio de 7,8us a menos que tCASE 85C, 3,9us a 85C < TCASE 95C
●Reinicialização assíncrona
DIAGRAMA DE BLOCOS DE FUNÇÕES para:
Módulo de 4 GB, 512 M x 64 (Preenchido como 1 classificação de SDRAMs x16DDR4)
NOTA :
1) Salvo indicação em contrário, os valores do resistor são 150Ω 5 por cento.
2) Os resistores ZQ são 2400Ω 1 por cento. Para todos os outros valores de resistor, consulte o diagrama de fiação apropriado.
Módulo de 8 GB, 1 Gx64 (preenchido como 1 classificação de x 8 SDRAMs DDR4)
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