CARTÃO NM
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NM CARD
39&40 NM CARD
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CARTÃO NM

Cartão de memória Nano - abreviado como cartão NM - da mesma forma e tamanho de um Nano SIM, pode ser usado com a bandeja dual SIM em um dispositivo Huawei compatível. A Huawei anunciou a alternativa do cartão Nano ao cartão Micro SD em 2019. É apenas metade do tamanho de um cartão Micro SD convencional, mas o cartão NM ainda é rápido - De acordo com a especificação técnica do cartão NM 1.0, o máx. o desempenho de leitura e gravação é de cerca de 90 MB/s.

Este produto também adota o chip de controle principal do motor eMMC 5.1 LDPC ECC. Com 3D NAND Flash, a arquitetura de firmware do algoritmo autônomo criativo é adotada. Além de ampliar a capacidade do NM Card em aplicativos móveis, os usuários também podem utilizar o NM Card. Aplicativos não usados ​​e dados frios de arquivos grandes são migrados para liberar o celular. A capacidade disponível do armazenamento original melhora a vida útil e o desempenho de lançamento do telefone.


Capacidade disponível e velocidade:

Capacidade

Velocidade de leitura (MB/S)

Velocidade de gravação (MB/S)

Tipo de Flash

tamanho do pacote

64 GB

93 MB/S

83 MB/S

TLC 512 Gbx1

12,3x8,8x0,7mm

128 GB

93 MB/S

83 MB/S

TLC 512 Gbx2

12,3x8,8x0,7mm

256 GB

93 MB/S

83 MB/S

TLC 512 Gbx4

12,3x8,8x0,7mm


Parâmetro de estrutura física do cartão NM

Modelo

Medição

Comprimento

8,8 mm mais /-0,1 mm (B)

Largura

12,3 mm mais /-0,1 mm (A)

Espessura

0,8 mm mais /-0,05 mm (C1)

Superfície

Simples (exceto área de contato)

Arestas

Bordas lisas


Parâmetro do ambiente físico do cartão NM

Tensão

Vcc=3.3V

Temperatura

Operacional: -20 grau a 70 graus

Não operacional: -40 grau a 85 graus

Umidade

25% a 95%

Proteção ESD

Contatos: mais /-4KV, corpo humano

Descarga de ar: mais /-8KV(descarga de ar); Descarte do Plano de Acoplamento: -8KV

Dobrar

10N

Torque

0.15 N.m

Teste de queda

1,5 m de queda livre


Tiragem do Cartão NM:


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Descrição da interface

Símbolo

Modelo

Descrição

1

CLK

Entrada

Relógio: Cada ciclo do relógio direciona uma transferência na linha de comando e na(s) linha(s) de dados. A frequência pode variar entre a frequência mínima e máxima do clock.

2 4 5 8

DAT0 DAT2 DAT3 DAT8

I/O

Data I/O: Estes são sinais de dados bidirecionais. Os sinais DAT operam no modo push-pull. Por padrão. O controlador MMC pode configurar um barramento de dados mais amplo para transferência de dados usando DAT[3:0] (modo 4-bit)

3

VCC

Fornecer

VCC: Interface NAND (I/F) E/S e fonte de alimentação NAND Flash.

6

GND

Fornecer

núcleo do controlador e conexão de aterramento e·MMC I/F.
Conexão de aterramento NAND I/FI/O e NAND Flash

7

CMD

I/O

Comando: Este sinal é um canal de comando bidirecional usado para transferências de comando e resposta. O sinal CMD tem dois modos de barramento: modo de drenagem aberta e modo push-pull (consulte Modos de operação). Os comandos são enviados do host MMC para o dispositivo e as respostas são enviadas do dispositivo para o host.


Os dispositivos suportam cartão de memória NM

Símbolo

Modelo

Descrição

1

CLK

Entrada

Relógio: Cada ciclo do relógio direciona uma transferência na linha de comando e na(s) linha(s) de dados. A frequência pode variar entre a frequência mínima e máxima do clock.

2 4 5 8

DAT0 DAT2 DAT3 DAT8

I/O

Data I/O: Estes são sinais de dados bidirecionais. Os sinais DAT operam no modo push-pull. Por padrão. O controlador MMC pode configurar um barramento de dados mais amplo para transferência de dados usando DAT[3:0] (modo 4-bit)

3

VCC

Fornecer

VCC: Interface NAND (I/F) E/S e fonte de alimentação NAND Flash.

6

GND

Fornecer

núcleo do controlador e conexão de aterramento e·MMC I/F.
Conexão de aterramento NAND I/FI/O e NAND Flash

7

CMD

I/O

Comando: Este sinal é um canal de comando bidirecional usado para transferências de comando e resposta. O sinal CMD tem dois modos de barramento: modo de drenagem aberta e modo push-pull (consulte Modos de operação). Os comandos são enviados do host MMC para o dispositivo e as respostas são enviadas do dispositivo para o host.


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